- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录175864 > IRF6609 (International Rectifier) Power MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF6609 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET |
| 中文描述： | 功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 230K |
| 代理商： | IRF6609 |
IRF6609
www.irf.com
3
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
Fig 4. Normalized On-Resistance
vs. Temperature
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
I D
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
≤ 60s PULSE WIDTH
Tj = 25°C
2.7V
VGS
TOP
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
BOTTOM
2.7V
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
I D
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
≤ 60s PULSE WIDTH
Tj = 150°C
2.7V
VGS
TOP
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
BOTTOM
2.7V
2.0
3.0
4.0
5.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
I D
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(Α
)
VDS = 10V
≤ 60s PULSE WIDTH
TJ = 25°C
TJ = 150°C
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
R
D
S
(o
n)
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
O
n
R
es
is
ta
nc
e
(N
or
m
al
iz
ed
)
ID = 31A
VGS = 10V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6610TRPBF | 15 A, 20 V, 0.0068 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF720 | TRI CON SKT 20-22 GLD ST/LO |
| IRF7307 | Power MOSFET |
| IRF730AS | 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF7450 | SMPS MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6609TR1 | 功能描述:MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6609TR1PBF | 功能描述:MOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6609TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET, 20V, 25A, DIRECTFET MT |
| IRF6609TRPBF | 功能描述:MOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6610 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。