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参数资料
型号： IRF6609
厂商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 功率MOSFET
文件页数： 3/10页
文件大小： 230K
代理商： IRF6609
IRF6609
2
www.irf.com
S
D
G
Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
BVDSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
20
–––
V
ΒVDSS/TJ
Breakdown Voltage Temp. Coefficient –––
15
––– mV/°C
RDS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
1.6
2.0
m
–––
2.0
2.6
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
1.55
–––
2.45
V
VGS(th)/TJ
Gate Threshold Voltage Coefficient
–––
-6.1
––– mV/°C
IDSS
Drain-to-Source Leakage Current
–––
1.0
A
–––
150
IGSS
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
100
nA
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
-100
gfs
Forward Transconductance
91
–––
S
Qg
Total Gate Charge
–––
46
69
Qgs1
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
–––
15
–––
Qgs2
Post-Vth Gate-to-Source Charge
–––
4.7
–––
nC
Qgd
Gate-to-Drain Charge
–––
15
–––
Qgodr
Gate Charge Overdrive
–––
11
–––
See Fig. 17
Qsw
Switch Charge (Qgs2 + Qgd)
–––
20
–––
Qoss
Output Charge
–––
26
–––
nC
td(on)
Turn-On Delay Time
–––
24
–––
tr
Rise Time
–––
95
–––
td(off)
Turn-Off Delay Time
–––
26
–––
ns
tf
Fall Time
–––
9.8
–––
Ciss
Input Capacitance
–––
6290
–––
Coss
Output Capacitance
–––
1850
–––
pF
Crss
Reverse Transfer Capacitance
–––
860
–––
Avalanche Characteristics
Parameter
Units
EAS
Single Pulse Avalanche Energy
d
mJ
IAR
Avalanche Current
A
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
IS
Continuous Source Current
–––
31
(Body Diode)
A
ISM
Pulsed Source Current
–––
250
(Body Diode)
VSD
Diode Forward Voltage
–––
0.80
1.2
V
trr
Reverse Recovery Time
–––
32
48
ns
Qrr
Reverse Recovery Charge
–––
26
39
nC
Typ.
–––
ID = 17A
VGS = 0V
VDS = 10V
ID = 25A
230
25
Max.
TJ = 25°C, IF = 25A
di/dt = 100A/s
e
TJ = 25°C, IS = 25A, VGS = 0V e
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
Conditions
VGS = 0V, ID = 250A
Reference to 25°C, ID = 1mA
VGS = 10V, ID = 31A
e
VGS = 4.5V, ID = 25A
e
VDS = VGS, ID = 250A
VDS = 16V, VGS = 0V
VDS = 16V, VGS = 0V, TJ = 150°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 4.5V
MOSFET symbol
Clamped Inductive Load
VDS = 10V, ID = 25A
Conditions
= 1.0MHz
VDS = 10V, VGS = 0V
VDD = 16V, VGS = 4.5V
e
VDS = 10V
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