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参数资料
| 型号： | IRF6613 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-MT |
| 标准包装： | 4,800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.4 毫欧 @ 23A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5950pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 MT |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? MT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6613
1000.0
1000
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS (on)
100.0
10.0
TJ = 150°C
100
10
1
100μsec
1.0
0.1
TJ = 25°C
VGS = 0V
0.1
0.01
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
10
100
1000
VSD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
150
2.5
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
120
2.0
90
60
1.5
I D = 250μA
30
0
1.0
0.5
25
50
75
100
125
150
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current vs. Case Temperature
100
D = 0.50
TJ , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature
10
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
τ 4
τ τ C
0.1
0.01
τ J
τ J
τ 1
τ 1
R 1
R 1
τ 2
R 2
R 2
τ 2
R 3
R 3
τ 3
τ 3
R 4
R 4
τ 4
A τ
Ri (°C/W)
0.6784
17.299
17.566
τ i (sec)
0.00086
0.57756
8.94
0.001
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Ci= τ i / Ri
Ci i / Ri
9.4701 106
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + Tc
0.0001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
4
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRF6613TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF6613TRPBF | 功能描述:MOSFET 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6614 | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH 5.9mOhm DirectFET 1.8Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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