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参数资料
| 型号： | IRF6613 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-MT |
| 标准包装： | 4,800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.4 毫欧 @ 23A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5950pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 MT |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? MT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6613
7.0
1000
6.0
5.0
4.0
3.0
I D = 23A
TJ = 125°C
TJ = 25°C
800
600
400
200
ID
TOP 6.7A
8.1A
BOTTOM 18A
2.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
0
25
50
75
100
125
150
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 12. On-Resistance Vs. Gate Voltage
15V
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
Fig 13c. Maximum Avalanche Energy Vs. Drain Current
L D
V DS
VDS
L
DRIVER
+
V DD -
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
V GS
Pulse Width < 1μs
D.U.T
Fig 13a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (BR)DSS
tp
Duty Factor < 0.1%
Fig 14a. Switching Time Test Circuit
V DS
90%
10%
V GS
I AS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 13b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 14b. Switching Time Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Vds
Vgs
Id
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
V GS
3mA
D.U.T.
+
V
V gs(th)
I G
I D
Current Sampling Resistors
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Fig 15. Gate Charge Test Circuit
www.irf.com
Fig 16. Gate Charge Waveform
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRF6613TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF6613TRPBF | 功能描述:MOSFET 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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