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参数资料
| 型号： | IRF6613 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-MT |
| 标准包装： | 4,800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.4 毫欧 @ 23A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5950pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 MT |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? MT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6613
DirectFET ? Outline Dimension, MT Outline
(Medium Size Can, T-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
DIMENSIONS
METRIC
IMPERIAL
CODE MIN
MAX
MIN
MAX
A
6.25
6.35
0.246
0.250
NOTE: CONTROLLING
DIMENSIONS ARE IN MM
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
4.80
3.85
0.35
0.78
0.88
1.78
0.98
0.63
0.88
2.46
0.59
0.03
0.08
5.05
3.95
0.45
0.82
0.92
1.82
1.02
0.67
1.01
2.63
0.70
0.08
0.17
0.189
0.152
0.014
0.031
0.035
0.070
0.039
0.025
0.035
0.097
0.023
0.001
0.003
0.199
0.156
0.018
0.032
0.036
0.072
0.040
0.026
0.039
0.104
0.028
0.003
0.007
DirectFET ? Part Marking
www.irf.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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