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参数资料
| 型号： | IRF7404QTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 3.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1500pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7404QTRPBFDKR |
IRF7404QPbF
3000
2000
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss =C ds +C gd
C iss
10
8
I D = -3.2A
V DS = -16V
6
C oss
4
1000
C rss
2
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0
10
20
30
SEE FIGURE 12
40 50
60
A
100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
T J = 150°C
10
T J = 25°C
10
1ms
1
10ms
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS = 0V
1.4 1.6
T A = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
1
0.1
1
10
100
4
-V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7413ATR | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC |
| IRF7413QTRPBF | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| IRF7416QTRPBF | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC |
| IRF7421D1TR | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC |
| IRF7422D2TR | MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7404TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SOIC - Tape and Reel |
| IRF7404TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -20V -6.7A 40mOhm 33.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7404TRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single P-Channel 20 V 2.5 W 50 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 |
| IRF7406 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P LOGIC SO-8 |
| IRF7406GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -5.8A 45mOhm 39.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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