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参数资料
| 型号： | IRF7404QTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 3.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1500pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7404QTRPBFDKR |
IRF7404QPbF
A
V
8.0
6.0
4.0
V DS
V GS
R G
-4.5V
Pulse Width ≤ 1μs
Duty Factor ≤ 0.1%
R D
D.U.T.
-
+ DD
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
2.0
V DS
90%
0.0
25
50
75
100
125
150
100
T C , Case Temperature ( ° C)
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Ambient Temperature
D = 0.50
10%
V GS
t d(on) t r t d(off) t f
Fig 10b. Switching Time Waveforms
10
0.20
0.10
0.05
0.02
P DM
1
0.01
t 1
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
t 2
0.1
0.0001
0.001
0.01
0.1
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
1 10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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