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参数资料
| 型号： | IRF7404QTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 3.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1500pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7404QTRPBFDKR |
IRF7404QPbF
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
D.U.T
+
?
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
+
?
?
-
**
-
?
+
*
V GS *
R G
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by Duty Factor "D"
? D.U.T. - Device Under Test
+
-
V DD
* Reverse Polarity for P-Channel
** Use P-Channel Driver for P-Channel Measurements
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
V GS =10V
[
] ***
D.U.T. I SD Waveform
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
Re-Applied
Voltage
Diode Recovery
dv/dt
Body Diode Forward Drop
[
V DD
]
Inductor Curent
Ripple ≤ 5%
[
I SD
]
*** V GS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 13. For P-Channel HEXFETS
www.irf.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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