型号: | IRGS15B60KDTRR |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 31 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
封装: | PLASTIC, D2PAK-3 |
文件页数: | 1/16页 |
文件大小: | 824K |
代理商: | IRGS15B60KDTRR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRHM8150UPBF | 34 A, 100 V, 0.076 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
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IRHNA8064 | 75 A, 60 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
IRKH105/06AS90 | 164.85 A, 600 V, SCR, TO-240AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRGS15B60KDTRRP | 功能描述:IGBT 模块 600V 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
IRGS15B60KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 15A 1.8V Welding SMPS UPS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IRGS30B60 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
IRGS30B60K | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
IRGS30B60KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |