- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录175867 > IRGS15B60KDTRR 31 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRGS15B60KDTRR |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 31 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 13/16页 |
| 文件大小： | 824K |
| 代理商： | IRGS15B60KDTRR |
IRGB/S/SL15B60KDPbF
6
www.irf.com
Fig. 14 - Typ. Switching Time vs. IC
TJ = 150°C; L=200H; VCE= 400V
RG= 22; VGE= 15V
Fig. 13 - Typ. Energy Loss vs. IC
TJ = 150°C; L=200H; VCE= 400V
RG= 22; VGE= 15V
Fig. 16- Typ. Switching Time vs. RG
TJ = 150°C; L=200H; VCE= 600V
ICE= 15A; VGE= 15V
Fig. 15 - Typ. Energy Loss vs. RG
TJ = 150°C; L=200H; VCE= 400V
ICE= 15A; VGE= 15V
0
1020
304050
IC (A)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
E
ne
rg
y
(
J)
EOFF
EON
0
10
20
30
40
50
IC (A)
10
100
1000
S
w
ic
hi
ng
T
im
e
(n
s)
tR
tdOFF
tF
tdON
0
50
100
150
RG ()
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
E
ne
rg
y
(
J)
EON
EOFF
0
50
100
150
RG ()
10
100
1000
S
w
ic
hi
ng
T
im
e
(n
s)
tR
tdOFF
tF
tdON
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGVH50FUPBF | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-258AA |
| IRHM8150UPBF | 34 A, 100 V, 0.076 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| IRHNA593160PBF | 52 A, 100 V, 0.049 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRHNA8064 | 75 A, 60 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRKH105/06AS90 | 164.85 A, 600 V, SCR, TO-240AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGS15B60KDTRRP | 功能描述:IGBT 模块 600V 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IRGS15B60KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 15A 1.8V Welding SMPS UPS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGS30B60 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGS30B60K | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGS30B60KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。