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参数资料
| 型号： | IRGS15B60KDTRR |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 31 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 3/16页 |
| 文件大小： | 824K |
| 代理商： | IRGS15B60KDTRR |
IRGB/S/SL15B60KDPbF
www.irf.com
11
WF.3- Typ. Reverse Recovery
@ TJ = 150°C using CT.4
WF.4- Typ. Short Circuit
@ TJ = 150°C using CT.3
WF.1- Typ. Turn-off Loss
@ TJ = 150°C using CT.4
WF.2- Typ. Turn-on Loss
@ TJ = 150°C using Fig. CT.4
-1 00
0
100
200
300
400
500
600
-0.5
0.0
0. 5
1. 0
1.5
t (S )
V
CE
(V)
-5
0
5
10
15
20
25
30
ICE
(A)
E o ff L o s s
5% V
CE
5% I
CE
90% I
CE
tF
-100
0
100
200
300
400
500
-0.2
-0.1
0.0
0.1
t (S)
V
CE
(V)
-10
0
10
20
30
40
50
ICE
(A)
tR
Eon Los s
10% tes t current
tes t current
5% VCE
90% tes t current
-50 0
-40 0
-30 0
-20 0
-10 0
0
10 0
-0. 06
0 .0 4
0 .1 4
t ( S )
V
CE
(V
)
-4 0
-3 0
-2 0
-1 0
0
10
20
I CE
(A
)
Peak
IRR
tRR
Q RR
10 %
Pe a k
IRR
-100
0
100
200
300
400
500
-1 0
0
10
20
30
t ( S )
V
CE
(V
)
-5 0
0
50
10 0
15 0
20 0
25 0
ICE
(A
)
V CE
ICE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGVH50FUPBF | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-258AA |
| IRHM8150UPBF | 34 A, 100 V, 0.076 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| IRHNA593160PBF | 52 A, 100 V, 0.049 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRHNA8064 | 75 A, 60 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRKH105/06AS90 | 164.85 A, 600 V, SCR, TO-240AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGS15B60KDTRRP | 功能描述:IGBT 模块 600V 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IRGS15B60KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 15A 1.8V Welding SMPS UPS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGS30B60 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGS30B60K | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGS30B60KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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