参数资料
型号: IRGS15B60KDTRR
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 31 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装: PLASTIC, D2PAK-3
文件页数: 12/16页
文件大小: 824K
代理商: IRGS15B60KDTRR
IRGB/S/SL15B60KDPbF
www.irf.com
5
Fig. 10 - Typical VCE vs. VGE
TJ = 25°C
Fig. 9 - Typical VCE vs. VGE
TJ = -40°C
Fig. 11 - Typical VCE vs. VGE
TJ = 150°C
Fig. 12 - Typ. Transfer Characteristics
VCE = 50V; tp = 10s
4
6
8
101214
1618
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
C
E
(V
)
ICE = 5.0A
ICE = 15A
ICE = 30A
4
6
8
101214
16
1820
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
C
E
(V
)
ICE = 5.0A
ICE = 15A
ICE = 30A
0
5
10
15
20
VGE (V)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
I C
E
(A
)
TJ = 25°C
TJ = 150°C
TJ = 25°C
4
6
8
10
1214
161820
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
C
E
(V
)
ICE = 5.0A
ICE = 15A
ICE = 30A
相关PDF资料
PDF描述
IRGVH50FUPBF 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-258AA
IRHM8150UPBF 34 A, 100 V, 0.076 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA
IRHNA593160PBF 52 A, 100 V, 0.049 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRHNA8064 75 A, 60 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRKH105/06AS90 164.85 A, 600 V, SCR, TO-240AA
相关代理商/技术参数
参数描述
IRGS15B60KDTRRP 功能描述:IGBT 模块 600V 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IRGS15B60KPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V 15A 1.8V Welding SMPS UPS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGS30B60 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS30B60K 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS30B60KPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube