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参数资料
| 型号： | IRGS15B60KDTRR |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 31 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 15/16页 |
| 文件大小： | 824K |
| 代理商： | IRGS15B60KDTRR |
IRGB/S/SL15B60KDPbF
8
www.irf.com
Fig. 21 - Typical Diode ERR vs. IF
TJ = 150°C
Fig. 23 - Typical Gate Charge vs. VGE
ICE = 15A; L = 600H
Fig. 22- Typ. Capacitance vs. VCE
VGE= 0V; f = 1MHz
0
10
20
30
40
IF (A)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
E
ne
rg
y
(
J)
22
10
47
100
0
20
40
60
80
100
VCE (V)
10
100
1000
10000
C
ap
ac
ita
nc
e
(p
F
)
Cies
Coes
Cres
0
204060
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
G
E
(V
)
300V
400V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRGS30B60KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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