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参数资料
| 型号： | IRHM8150UPBF |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 34 A, 100 V, 0.076 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| 封装： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 444K |
| 代理商： | IRHM8150UPBF |
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHM7150
Radiation Characteristics
Fig 15.
Fig 15. Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 300K Rads (Si)
Fig 16.
Fig 16. Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 1 Mega Rads(Si)
Fig 13.
Fig 13. Typical Output Characteristics
Pre-Irradiation
Fig 14.
Fig 14. Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 100K Rads (Si)
Note: Bias Conditions during radiation: V/5 = 0 Vdc, V,5 = 80 Vdc
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IRKH105/04AS90PBF | 164.85 A, 400 V, SCR, TO-240AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRHM8230D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-254VAR |
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