参数资料
型号: IRHM8150UPBF
元件分类: JFETs
英文描述: 34 A, 100 V, 0.076 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA
封装: HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN
文件页数: 3/12页
文件大小: 444K
代理商: IRHM8150UPBF
www.irf.com
11
Pre-Irradiation
IRHM7150
QG
QGS
QGD
VG
Charge
D.U.T.
VDS
ID
IG
3mA
VGS
.3
F
50K
.2
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 29b.
Fig 29b. Gate Charge Test Circuit
Fig 29a.
Fig 29a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 28c.
Fig 28c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 28b.
Fig 28b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 28a.
Fig 28a. Unclamped Inductive Test
Circuit
tp
V(BR)DSS
IAS
RG
IAS
0.01
tp
D.U.T
L
VDS
+
- VDD
DRIVER
A
15V
20V
VGS
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