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参数资料
| 型号： | IRHM8150UPBF |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 34 A, 100 V, 0.076 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| 封装： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 444K |
| 代理商： | IRHM8150UPBF |
www.irf.com
5
Pre-Irradiation
IRHM7150
Post-Irradiation
Fig 6.
Fig 6. Typical On-State Resistance Vs.
NeutronFluenceLevel
Fig 5.
Fig 5. Typical Zero Gate Voltage Drain
Current Vs. Total Dose Exposure
Fig 8b.
Fig 8b. VDSS Stress Equals
80% of BVDSS During Radiation
Fig 7.
Fig 7. Typical Transient Response of
Rad Hard HEXFET During 1x1012
Rad (Si)/Sec Exposure
Fig 8a.
Fig 8a. Gate Stress of VGSS
Equals 12 Volts During
Radiation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNA593160PBF | 52 A, 100 V, 0.049 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRKH105/06AS90 | 164.85 A, 600 V, SCR, TO-240AA |
| IRKH105/04APBF | 164.85 A, 400 V, SCR, TO-240AA |
| IRKH105/04AS90PBF | 164.85 A, 400 V, SCR, TO-240AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRHM8160U | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM8230 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHM8230D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-254VAR |
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