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参数资料
| 型号： | IRLML6344TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5A SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 10µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRLML6344TRPBFDKR |
IRLML6344TRPbF
Electric Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
30
–––
–––
V
V GS = 0V, I D = 250 μ A
Δ V (BR)DSS / Δ T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.02
–––
V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
V GS(th)
I DSS
I GSS
R G
gfs
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Internal Gate Resistance
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
0.5
–––
–––
–––
–––
–––
19
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
22
27
0.8
–––
–––
–––
–––
1.7
–––
6.8
0.3
2.4
4.2
5.6
22
9.1
650
65
46
29
37
1.1
1.0
150
100
-100
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
m Ω
V
μ A
nA
Ω
S
nC
ns
pF
V GS = 4.5V, I D = 5.0A
V GS = 2.5V, I D = 4.0A
V DS = V GS , I D = 10 μ A
V DS =24V, V GS = 0V
V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 125°C
V GS = 12V
V GS = -12V
V DS = 10V, I D = 5.0A
I D = 5.0A
V DS =15V
V GS = 4.5V
V DD =15V
I D = 1.0A
R G = 6.8 Ω
V GS = 4.5V
V GS = 0V
V DS = 25V
? = 1.0MHz
Source - Drain Ratings and Characteristics
Symbol
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
–––
–––
–––
–––
1.3
25
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
10
3.8
1.2
15
5.7
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = 5.0A, V GS = 0V
T J = 25°C, V R = 15V, I F =1.3A
di/dt = 100A/ μ s
2
www.irf.com
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