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参数资料
| 型号： | IRLML6344TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5A SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 10µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRLML6344TRPBFDKR |
IRLML6344TRPbF
100
100
10
TOP
BOTTOM
VGS
10V
4.5V
2.5V
2.0V
1.9V
1.7V
1.5V
1.4V
10
TOP
BOTTOM
VGS
10V
4.5V
2.5V
2.0V
1.9V
1.7V
1.5V
1.4V
1
0.1
1.4V
≤ 60 μ s PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
0.1
1.4V
≤ 60 μ s PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
100
10
T J = 150°C
1
T J = 25°C
VDS = 15V
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
2.0
ID = 5.0A
VGS = 4.5V
1.5
1.0
0.1
≤ 60 μ s PULSE WIDTH
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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PDF描述 |
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