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参数资料
| 型号： | IRLML6344TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5A SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 10µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRLML6344TRPBFDKR |
IRLML6344TRPbF
10000
1000
100
VGS = 0V, f = 1 MHZ
C iss = C gs + Cgd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + Cgd
Ciss
Coss
Crss
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
ID= 5.0A
VDS= 24V
VDS= 15V
VDS= 6.0V
2.0
10
0.0
1
10
100
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
20.0
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
100
10
T J = 150°C
100
10
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
1msec
100 μ sec
1
1
0.1
0.4
0.5
0.6
T J = 25°C
0.7 0.8
VGS = 0V
0.9 1.0
1.1
0.1
0.01
0.1
T A = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1
10msec
10
100
4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRLML6346TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 30V 3.4A SOT23 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 3.4A, SOT23 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 3.4A, SOT23, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 3.4A, SOT23, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:3.4A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.046ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:800mV, Power , RoHS Compliant: Yes |
| IRLML6401 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P SOT-23 |
| IRLML6401GPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET |
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