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参数资料
| 型号： | IRLML6401TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 |
| 产品变化通告： | (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 4.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 830pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | Micro3?/SOT-23 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLML6401TR IRLML6401 IRLML6401-ND IRLML6401CT |
IRLML6401
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
-12 ––– ––– V V GS = 0V, I D = -250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– -0.007 –––
V/°C Reference to 25°C, I D = -1mA
?
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
––– ––– 0.050 V GS = -4.5V, I D = -4.3A ?
??? ––– 0.085 V GS = -2.5V, I D = -2.5A ?
???
––– 0.125 V GS = -1.8V, I D = -2.0A ?
-0.40 -0.55 -0.95 V V DS = V GS , I D = -250μA
8.6 ––– ––– S V DS = -10V, I D = -4.3A
––– ––– -1.0 V DS = -12V, V GS = 0V
μA
––– ––– -25 V DS = -9.6V, V GS = 0V, T J = 55°C
––– ––– -100 V GS = -8.0V
nA
––– ––– 100 V GS = 8.0V
––– 10 15 I D = -4.3A
––– 1.4 2.1 nC V DS = -10V
––– 2.6 3.9 V GS = -5.0V ?
––– 11 ––– V DD = -6.0V
ns
––– 32 ––– I D = -1.0A
––– 250 ––– R D = 6.0 ?
––– 210 ––– R G = 89 ? ?
––– 830 ––– V GS = 0V
––– 180 ––– pF V DS = -10V
––– 125 ––– ? = 1.0MHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
–––
–––
–––
–––
-1.3
-34
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
–––
–––
22
8.0
-1.2
33
12
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = -1.3A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = -1.3A
di/dt = -100A/μs ?
?
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
2
? Surface mounted on 1" square single layer 1oz. copper FR4 board,
steady state.
? Starting T J = 25°C, L = 3.5mH
R G = 25 ? , I AS = -4.3A.
www.irf.com
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLML6401TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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