参数资料
型号: IRLML6401TR
厂商: International Rectifier
文件页数: 4/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
产品变化通告: (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 50 毫欧 @ 4.3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 950mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 830pF @ 10V
功率 - 最大: 1.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: Micro3?/SOT-23
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: *IRLML6401TR
IRLML6401
IRLML6401-ND
IRLML6401CT
IRLML6401
1200
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
10
I D = -4.3A
Ciss
= C gs + Cgd, Cds
SHORTED
V DS =-10V
1000
Ciss
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
8
800
6
600
4
400
Coss
200
0
Crss
2
0
1
10
100
0
4
8
12
16
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
10
T J = 150 C
°
10us
T J = 25 ° C
10
100us
1
1
1ms
10ms
0.1
0.2
0.6
1.0
V GS = 0 V
1.4         1.8
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
0.1
0.1
1
10
100
4
-V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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