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参数资料
| 型号： | IRLML6401TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 |
| 产品变化通告： | (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 4.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 830pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | Micro3?/SOT-23 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLML6401TR IRLML6401 IRLML6401-ND IRLML6401CT |
IRLML6401
Micro3 ? Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
D
-B-
3
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
DIM
INCHES
MIN MAX
MILLIMETERS
MIN MAX
2 - SOURCE
3 - DRAIN
A
A1
.032
.001
.044
.004
0.82
0.02
1.11
0.10
3
E
-A-
1
3
2
H
0.20 ( .008 )
M
A M
B
C
D
.015
.004
.105
.021
.006
.120
0.38
0.10
2.67
0.54
0.15
3.05
e
e1
.0750 BASIC
.0375 BASIC
1.90 BASIC
0.95 BASIC
e
e1
E
H
L
.047
.083
.005
.055
.098
.010
1.20
2.10
0.13
1.40
2.50
0.25
A
θ
θ
0°
8°
0°
8°
MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT
-C-
B
3X
A1
0.008 (.003)
L
C
0.80 ( .031 )
3X
0.10 (.004)
M
C AS B S
3X
3X
0.90
( .035 )
3X
2.00
( .079 )
NOTES:
1. DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M-1982.
2. CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3 DIMENSIONS DO NOT INCLUDE MOLD FLASH.
www.irf.com
0.95 ( .037 )
2X
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLML6401TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLML6401TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
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