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参数资料
| 型号： | IRLML6401TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 |
| 产品变化通告： | (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 4.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 830pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | Micro3?/SOT-23 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLML6401TR IRLML6401 IRLML6401-ND IRLML6401CT |
IRLML6401
0.10
0.20
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
Id = -4.3A
0.15
0.10
0.05
0.00
VGS = -1.8V
VGS = -2.5V
VGS = -4.5V
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
0
10
20
30
40
-VGS, Gate -to -Source Voltage ( V )
Fig 12. Typical On-Resistance Vs.
Gate Voltage
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
-I D , Drain Current ( A )
Fig 13. Typical On-Resistance Vs.
Drain Current
I D = -250μA
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T J , Temperature ( °C )
Fig 14. Typical Threshold Voltage Vs.
Junction Temperature
6
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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