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参数资料
| 型号： | IRLML6401TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 |
| 产品变化通告： | (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 4.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 830pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | Micro3?/SOT-23 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLML6401TR IRLML6401 IRLML6401-ND IRLML6401CT |
IRLML6401
100
100
10
1
VGS
TOP -7.0V
-5.0V
-4.5V
-3.0V
-2.5V
- 1.8V
-1.5V
BOTTOM -1.0V
10
1
VGS
TOP -7.0V
-5.0V
-4.5V
-3.0V
-2.5V
-1.8V
-1.5V
BOTTOM -1.0V
-1.0V
-1.0V
0.1
0.01
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
0.1
0.01
20μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100.0
10.0
T J = 25°C
T J = 150°C
2.0
1.5
I D = -4.3A
1.0
1.0
0.5
VDS = -12V
0.1
1.0
20μs PULSE WIDTH
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
-V GS, Gate-to-Source Voltage (V)
4.0
V GS = -4.5V
0.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLML6401TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLML6401TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRLML6401TRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single P-Channel 12 V 1.3 W 10 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 |
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