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参数资料
| 型号： | IRLMS1902TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro6?（TSOP-6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLMS1902TR IRLMS1902 IRLMS1902CT |
IRLMS1902
100
TOP
VGS
7.50V
100
TOP
VGS
7.50V
10
1
5.00V
4.00V
3.50V
3.00V
2.50V
2.00V
BOTTOM 1.75V
10
1
5.00V
4.00V
3.50V
3.00V
2.50V
2.00V
BOTTOM 1.75V
1.75V
0.1
0.1
1.75V
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10
0.1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 150 ° C
10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
10
T J = 25 ° C
T J = 150 ° C
2.0
1.5
I D = 2.2A
1.0
1
0.5
V DS = 10V
0.1
1.5
2.0
2.5
3.0
20μs PULSE WIDTH
3.5 4.0 4.5
5.0
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V GS = 4.5V
80 100 120 140 160
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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