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参数资料
| 型号： | IRLMS1902TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro6?（TSOP-6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLMS1902TR IRLMS1902 IRLMS1902CT |
IRLMS1902
600
500
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
10
8
I D = 2.2A
V DS = 16V
400
Ciss
6
300
4
200
100
Coss
2
Crss
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
0
0
2
4
SEE FIGURE 9
6
8
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10
10
100us
T J = 150 ° C
1ms
T J = 25 ° C
1
1
10ms
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
V GS = 0 V
1.2 1.4
0.1
1
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
10
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLMS2002TR | MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP |
| IRLMS4502TR | MOSFET P-CH 12V 5.5A 6-TSOP |
| IRLMS5703TR | MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP |
| IRLMS6702TR | MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP |
| IRLMS6802TR | MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLMS1902TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin Micro T/R |
| IRLMS1902TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 3.2A 100mOhm 4.7nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLMS2002 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC MICRO-6 |
| IRLMS2002GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 6.5A 30mOhm 15nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLMS2002PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC MICRO-6 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, LOGIC, MICRO-6 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, LOGIC, MICRO-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.2V; No. of Pins:6 ;RoHS Compliant: Yes |
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