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参数资料
| 型号： | IRLMS1902TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro6?（TSOP-6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLMS1902TR IRLMS1902 IRLMS1902CT |
IRLMS1902
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
D.U.T
+
?
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
+
?
-
-
?
+
?
R G
Driver Gate Drive
P.W.
?
?
?
?
Period
dv/dt controlled by R G
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
P.W.
D=
Period
+
-
V DD
Reverse
D.U.T. I SD Waveform
V GS =10V
*
Recovery
Body Diode Forward
Current
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
Diode Recovery
Re-Applied
dv/dt
V DD
Voltage
Inductor Curent
Body Diode
Ripple ≤ 5%
Forward Drop
I SD
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 12. For N-channel HEXFET ? power MOSFETs
6
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLMS2002TR | MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP |
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| IRLMS5703TR | MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP |
| IRLMS6702TR | MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP |
| IRLMS6802TR | MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLMS1902TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin Micro T/R |
| IRLMS1902TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 3.2A 100mOhm 4.7nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLMS2002 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC MICRO-6 |
| IRLMS2002GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 6.5A 30mOhm 15nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLMS2002PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC MICRO-6 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, LOGIC, MICRO-6 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, LOGIC, MICRO-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.2V; No. of Pins:6 ;RoHS Compliant: Yes |
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