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参数资料
| 型号： | IS45VS16160D-8BLA2 |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| 封装： | 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207, BGA-54 |
| 文件页数： | 14/61页 |
| 文件大小： | 939K |
| 代理商： | IS45VS16160D-8BLA2 |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
21
Rev. 00A
04/21/09
IS42VS83200D, IS42VS16160D
IS45VS83200D, IS45VS16160D
INITIALIzE AND LOAD MODE REGISTER(1)
DON'T CARE
CLK
CKE
COMMAND
DQM/
DQML, DQMH
A0-A9, A11, A12
A10
BA0, BA1
DQ
tCH
tCL
tCK
tCMH tCMS
tCKS tCKH
T0
T1
Tn+1
To+1
Tp+1
Tp+2
Tp+3
tMRD
tRC
tRP
ROW
BANK
tAS tAH
CODE
ALL BANKS
SINGLE BANK
ALLBANKS
AUTO
REFRESH
AUTO
REFRESH
Load MODE
REGISTER
T = 200s Min.
Power-up: VCC
and CLK stable
Precharge
all banks
AUTO REFRESH
Program MODE REGISTER
NOP
PRECHARGE
NOP
ACTIVE
T
(2, 3, 4)
AUTO REFRESH
At least 8 Auto-Refresh Commands
CODE
tAS tAH
Notes:
1. If CSisHighatclockHightime,allcommandsappliedareNOP.
2.TheModeregistermaybeloadedpriortotheAuto-Refreshcyclesifdesired.
3.JEDECandPC100specifythreeclocks.
4.OutputsareguaranteedHigh-Zafterthecommandisissued.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R32800B-5BL | 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 |
| IS61C512-25TI | x8 SRAM |
| IS61C512-35J | x8 SRAM |
| IS61C512-35JI | x8 SRAM |
| IS61C512-35K | x8 SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS4600 | 制造商:Isocom Components 功能描述:. |
| IS46D | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:Sensor inductive 18mm PNP |
| IS46DK | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC PNP NO NC |
| IS46DR16128-3DBLA1 | 功能描述:动态随机存取存储器 Automotive 2G,1.8V DDR2,128Mx16,333Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube |
| IS46DR16128-3DBLA1-TR | 功能描述:动态随机存取存储器 Automotive,2G,1.8V DDR2,128Mx16,333Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube |
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