参数资料
型号: IS45VS16160D-8BLA2
厂商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分类: DRAM
英文描述: 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
封装: 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207, BGA-54
文件页数: 60/61页
文件大小: 939K
代理商: IS45VS16160D-8BLA2
8
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
Rev. 00A
04/21/09
IS42VS83200D, IS42VS16160D
IS45VS83200D, IS45VS16160D
CKE
Function
n-1
n
DQMH
DQML
Datawrite/outputenable
H
×
L
L
Datamask/outputdisable
H
×
H
H
Upperbytewriteenable/outputenable
H
×
L
×
Lowerbytewriteenable/outputenable
H
×
×
L
Upperbytewriteinhibit/outputdisable
H
×
H
×
Lowerbytewriteinhibit/outputdisable
H
×
×
H
CKE
A12, A11
Function
n – 1
n
CS
RAS
CAS
WE
BA1
BA0
A10
A9 - A0
Devicedeselect(DESL)
H
×
H
×
Nooperation(NOP)
H
×
L
H
×
Burststop(BST)
H
×
L
H
L
×
Read
H
×
L
H
L
H
V
L
V
Readwithautoprecharge
H
×
L
H
L
H
V
H
V
Write
H
×
L
H
L
V
L
V
Writewithautoprecharge
H
×
L
H
L
V
H
V
Bankactivate(ACT)
H
×
L
H
V
Prechargeselectbank(PRE) H
×
L
H
L
V
L
×
Prechargeallbanks(PALL) H
×
L
H
L
×
H
×
CBRAuto-Refresh(REF)
H
L
H
×
Self-Refresh(SELF)
H
L
H
×
Moderegisterset(MRS)
H
×
L
V
COMMAND TRUTH TABLE
DQM TRUTH TABLE
Note:H=Vih,L=Vilx=VihorVil,V=ValidData.
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