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参数资料
| 型号： | IS45VS16160D-8BLA2 |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| 封装： | 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207, BGA-54 |
| 文件页数： | 34/61页 |
| 文件大小： | 939K |
| 代理商： | IS45VS16160D-8BLA2 |
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4
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
Rev. 00A
04/21/09
IS42VS83200D, IS42VS16160D
IS45VS83200D, IS45VS16160D
PIN CONFIGURATIONS
54 pin TSOP - Type II for x16
PIN DESCRIPTIONS
A0-A12
RowAddressInput
A0-A8
ColumnAddressInput
BA0,BA1
BankSelectAddress
DQ0toDQ15
DataI/O
CLK
SystemClockInput
CKE
ClockEnable
CS
Chip Select
RAS
RowAddressStrobeCommand
CAS
Column Address Strobe Command
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
DQML
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
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54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC
DQMH
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
WE
WriteEnable
DQML x16LowerByte,Input/OutputMask
DQMH x16UpperByte,Input/OutputMask
Vdd
Power
Vss
Ground
Vddq
PowerSupplyforI/OPin
Vssq
GroundforI/OPin
NC
NoConnection
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R32800B-5BL | 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 |
| IS61C512-25TI | x8 SRAM |
| IS61C512-35J | x8 SRAM |
| IS61C512-35JI | x8 SRAM |
| IS61C512-35K | x8 SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS4600 | 制造商:Isocom Components 功能描述:. |
| IS46D | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:Sensor inductive 18mm PNP |
| IS46DK | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC PNP NO NC |
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| IS46DR16128-3DBLA1-TR | 功能描述:动态随机存取存储器 Automotive,2G,1.8V DDR2,128Mx16,333Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube |
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