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参数资料
| 型号： | IS45VS16160D-8BLA2 |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| 封装： | 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207, BGA-54 |
| 文件页数： | 20/61页 |
| 文件大小： | 939K |
| 代理商： | IS45VS16160D-8BLA2 |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
27
Rev. 00A
04/21/09
IS42VS83200D, IS42VS16160D
IS45VS83200D, IS45VS16160D
CLK
CKE
ROW ADDRESS
BANK ADDRESS
CS
RAS
CAS
WE
A0-A12
BA0,BA1
HIGH
ACTIVATING SPECIFIC ROW WITHIN SPE-
CIFIC BANK
DON'T CARE
CLK
COMMAND
ACTIVE
NOP
tRCD
T0
T1
T2
T3
T4
READ or
WRITE
CHIP OPERATION
BANK/ROW ACTIVATION
BeforeanyREADorWRITEcommandscanbeissued
toabankwithintheSDRAM,arowinthatbankmustbe
“opened.”ThisisaccomplishedviatheACTIVEcommand,
which selects both the bank and the row to be activated
(see ActivatingSpecificRowWithinSpecificBank).
After opening a row (issuinganACTIVEcommand),aREAD
orWRITEcommandmaybeissuedtothatrow,subjectto
the trcdspecification.Minimumtrcd should be divided by
theclockperiodandroundeduptothenextwholenumber
to determine the earliest clock edge after the ACTIVE
commandonwhichaREADorWRITEcommandcanbe
entered.Forexample,atrcdspecificationof15nswitha
143MHzclock(7nsperiod)resultsin2.14clocks,rounded
to3.Thisisreflectedinthefollowingexample,whichcov-
ersanycasewhere2<[trcd(MIN)/tck] ≤3.(Thesame
procedure is used to convert other specification limits from
timeunitstoclockcycles).
AsubsequentACTIVEcommandtoadifferentrowinthe
same bank can only be issued after the previous active
rowhasbeen“closed”(precharged).Theminimumtime
intervalbetweensuccessiveACTIVEcommandstothe
same bank is defined by trc.
AsubsequentACTIVEcommandtoanotherbankcanbe
issued while the first bank is being accessed, which results
inareductionoftotalrow-accessoverhead.Theminimum
timeintervalbetweensuccessiveACTIVEcommandsto
different banks is defined by trrd.
EXAMPLE: MEETING TRCD (MIN) WHEN 2 < [TRCD (MIN)/TCK] ≤ 3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R32800B-5BL | 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 |
| IS61C512-25TI | x8 SRAM |
| IS61C512-35J | x8 SRAM |
| IS61C512-35JI | x8 SRAM |
| IS61C512-35K | x8 SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS4600 | 制造商:Isocom Components 功能描述:. |
| IS46D | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:Sensor inductive 18mm PNP |
| IS46DK | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC PNP NO NC |
| IS46DR16128-3DBLA1 | 功能描述:动态随机存取存储器 Automotive 2G,1.8V DDR2,128Mx16,333Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube |
| IS46DR16128-3DBLA1-TR | 功能描述:动态随机存取存储器 Automotive,2G,1.8V DDR2,128Mx16,333Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube |
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