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参数资料
| 型号： | IS61DDB22M18 |
| 厂商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs |
| 中文描述： | 36字节（100万× 36 |
| 文件页数： | 17/25页 |
| 文件大小： | 421K |
| 代理商： | IS61DDB22M18 |
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. B
2/22/05
17
ISSI
36 Mb (1M x 36 & 2M x 18)
DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs
t
KHKH
t
CHCQV
t
CHCQX
t
CHCQV
t
CHCQX
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KHKH
t
KLKH
t
KHKL
NOP
(burst of 2)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
(burst of 2)
NOP
(Note 3)
(burst of 2)
(burst of 2)
(burst of 2)
(burst of 2)
(burst of 2)
NOP
NOP
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
Q01
Q22
Q11
Q02
Q12
Q21
D31
D42
D41
D32
Q62
Q61
Q52
Q51
K
K
LD
R/W
SA
DQ
C
C
CQ
CQ
Don’t Care
Undefined
t
KHKH
Read
Read
NOP
Read
Write
Read
Write
Read
Read, Write, and NOP Timing Diagram
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PDF描述 |
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| IS61DDB22M18A-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mx18 165ball RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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