型号: | IS61DDB22M18 |
厂商: | Integrated Silicon Solution, Inc. |
英文描述: | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs |
中文描述: | 36字节(100万× 36 |
文件页数: | 3/25页 |
文件大小: | 421K |
代理商: | IS61DDB22M18 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IS61DDB22M18-250M3 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs |
IS61DDB41M36-250M3 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs |
IS61DDB42M18 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs |
IS61DDB42M18-250M3 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs |
IS61LF12832A | 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IS61DDB22M18-250M3 | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mbx18 DDR II Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
IS61DDB22M18-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36M (2Mx18) 250ns DDR II Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
IS61DDB22M18A-250B4LI | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb, DDR II CIO Sync 静态随机存取存储器, 2M x 18 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
IS61DDB22M18A-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mx18 165ball RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
IS61DDB22M36 | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs |