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参数资料
型号： IS61DDB22M18
厂商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs
中文描述： 36字节（100万× 36
文件页数： 2/25页
文件大小： 421K
代理商： IS61DDB22M18
2
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. B
2/22/05
ISSI
36 Mb (1M x 36 & 2M x 18)
DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs
x36 FBGA Pinout
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相关PDF资料
PDF描述
IS61DDB22M18-250M3 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs
IS61DDB41M36-250M3 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs
IS61DDB42M18 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs
IS61DDB42M18-250M3 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs
IS61LF12832A 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
相关代理商/技术参数
参数描述
IS61DDB22M18-250M3 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mbx18 DDR II Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61DDB22M18-250M3L 功能描述:静态随机存取存储器 36M (2Mx18) 250ns DDR II Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61DDB22M18A-250B4LI 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb, DDR II CIO Sync 静态随机存取存储器, 2M x 18 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61DDB22M18A-250M3L 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mx18 165ball RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61DDB22M36 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs
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