参数资料
| 型号： | ISL35822IK |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 57/75页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CLOCK/DATA RECOVERY 192EBGA-B |
| 标准包装： | 90 |
| 类型： | 时钟和数据恢复（CDR），多路复用器 |
| PLL： | 无 |
| 输入： | CML |
| 输出： | CML，CMOS |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 8:8 |
| 差分 - 输入:输出： | 是/是 |
| 频率 - 最大： | 3.1875Gbps |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 192-EBGA |
| 供应商设备封装： | 192-EBGA-B（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
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60
Electrical Characteristics
Absolute Maximum Ratings
Note (1): These ratings are those which if exceeded may cause permanent damage to the device. Operation at these or any other conditions in excess of those listed
under Operating Conditions below is not implied. Continued exposure to these ratings may reduce device reliability.
Operating Conditions
All Standard Device specifications assume TC = 0°C to +85°C, VDDAC = VDDAV = VDD = VDDA = 1.5V ± 5%, VDDPR = VDD or 2.4V ± 0.1V, unless
otherwise specified.
The Low Power Device specifications assume TC = 0°C to +85°C, VDDAC = VDDAV = VDD = VDDA = 1.355V ± 4%, VDDPR = VDD or 2.4V ± 0.1V,
unless otherwise specified.
Note (1): The VDDPR supply should be tied to a level at or above VDD, and at the highest level expected on any “2.5V tolerant” control pin, consistent with the above
ratings.
Note (2): For reference only. All testing is performed based on Case Temperature.
Note (1): The ‘Max’ value is at the maximum supply voltages, while the ‘Typ’ value is at the nominal supply voltages. The power dissipation is not significantly affected
by the VDDPR supply (see Table 111 for the distribution of power between the supplies). The “Mode” setting is assumed to be the default for that mode.
Note (2): The operating power varies slightly with the data pattern. The part is tested using the PRBS23 (223-1 byte) pattern.
Table 102. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
UNITS
VDDPR
2.5V Protection Power Supply Voltage
-0.5,
VDD - 0.5
2.6,
VDD + 2.0
V
VDDA, VDD, VDDAC,
VDDAV
All Other Power Supply Voltages
-0.5
1.65
V
V INCML
CML DC Input Voltage
-0.5
VDD + 0.5
V
IOUTCML
CML Output Current
- 50
+50
mA
V INCMS1
1.2V CMOS Input Voltage
-0.5
VDD + 0.5
V
V INCMS2
1.5V CMOS Input Voltage
-0.5
VDD + 0.5
V
V INCMS3
2.5V Tolerant CMOS Input Voltage
-0.5
2.6
V
Tstg
Storage Temperature
- 55
125
°C
Tj
Junction Temperature
- 55
125
°C
TSOL
Soldering Temperature (10s)
220
°C
V ESD
Maximum Input ESD (HBM)
-2000
2000
V
Table 103. RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
SYMBOL
PARAMETER
MIN
NOM
MAX
UNITS
VDDA VDDAV,
VDDAC & VDD
Core and Serial I/O Power Supply
Voltages
(Standard Device)
1.425
1.5
1.575
V
(Low Power Device)
1.300
1.355
1.410
V
VDDPR
Control I/O Protection Power Supply Voltage
VDD
(1)
2.5
V
TA
Ambient Operating Temperature(2)
025
+70
°C
TC
Case Operating Temperature
0
+85
°C
Table 104. POWER DISSIPATION AND THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
PARAMETER
TYP(1)
MAX(1)
UNITS
PD
Power Dissipation(2)
(Standard Device, CX4 Mode)
1650
1830
mW
(Low Power Device, LX4 Mode)
1250
1350
mW
θJC
Thermal Resistance, Junction to Case
2.0
°C/W
θCA
Thermal Resistance, Case to Ambient (still air, gap filler & cold plate)
13.0
°C/W
θCA
Thermal Resistance, Case to Ambient (still air only)
31.0
°C/W
ISL35822
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