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参数资料
型号： KIT912F634EVME
厂商： Freescale Semiconductor
文件页数： 68/339页
文件大小： 0K
描述： KIT EVAL FOR MM912F634
标准包装： 1
类型： MCU
适用于相关产品： MM912F634
所含物品： 板，线缆，CD
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Electrical Characteristics
Static Electrical Characteristics
MM912F634
Freescale Semiconductor
16
(continued)
Table 15. Static Electrical Characteristics - Hall Sensor Supply Output - HSUP
Ratings
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Current Limitation (3.7 V
V
SUP 18 V)
IHSUP
40
70
90
mA
Output Drain-to-Source On resistance
TJ= 150 °C, ILOAD =30 mA; 5.5V VSUP 16 V
TJ= 150 °C, ILOAD =30 mA; 3.7V VSUP < 5.5 V
RDS(ON)
-
10
12
Ohm
Output Voltage: (18 V
V
SUP 27 V)
VHSUPmax
16
17.5
18
V
Load Regulation (1.0 mA < IHSUP < 30 mA; VSUP > 18 V)
LDHSUP
-
500
mV
Hall Supply Capacitor Range
CHSUP
0.22
-
10
F
External Capacitor ESR
CHSUP_R
--
10
Ohm
Table 16. Static Electrical Characteristics - High Side Drivers - HS
Ratings
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Output Drain-to-Source On resistance
TJ =25°C, ILOAD =50mA; VSUP > 9.0 V
TJ= 150 °C, ILOAD =50 mA; VSUP > 9.0 V
TJ = 150 °C, ILOAD = 30 mA; 5.5V < VSUP < 9.0 V
RDS(ON)
-
7.0
10
14
Ohm
Output Current Limitation (0 V < VOUT < VSUP - 2.0 V)
ILIMHSX
60
110
250
mA
Open Load Current Detection
IOLHSX
-5.0
7.5
mA
Leakage Current (-0.2 V < VHSx < VS2 + 0.2 V)
ILEAK
--
10
A
Current Limitation Flag Threshold (5.5 V < VSUP < 27 V)
VTHSC
VSUP -2
-
V
Table 17. Static Electrical Characteristics - Low Side Drivers - LS
Ratings
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Output Drain-to-Source On resistance
TJ =25°C, ILOAD = 150 mA, VSUP > 9.0 V
TJ = 150 °C, ILOAD = 150 mA, VSUP > 9.0 V
TJ = 150 °C, ILOAD = 120 mA, 5.5 V < VSUP < 9.0 V
RDS(ON)
–
2.5
4.5
10
Ohm
Output Current Limitation (2.0 V < VOUT < VSUP)ILIMLSX
180
275
380
mA
Open Load Current Detection
IOLLSX
-8.0
12
mA
Leakage Current (-0.2 V < VOUT < VS1)
ILEAK
--
10
A
Active Output Energy Clamp (IOUT = 150 mA)
VCLAMP
40
-
45
V
Coil Series Resistance (IOUT =150 mA)
RCOIL
120
-
Ohm
Coil Inductance (IOUT = 150 mA)
RCOIL
--
400
m
Current Limitation Flag Threshold (5.5 V < VSUP < 27 V)
VTHSC
2.0
-
V
Table 18. Static Electrical Characteristics - LIN Physical Layer Interface - LIN
Ratings
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Current Limitation for Driver dominant state. VBUS =18 V
IBUSLIM
40
120
200
mA
Input Leakage Current at the Receiver incl. Pull-up Resistor
RSLAVE; Driver OFF; VBUS = 0 V; VBAT = 12 V
IBUS_PAS_DOM
-1.0
-
mA
Input Leakage Current at the Receiver incl. Pull-up Resistor
RSLAVE; Driver OFF;
8.0 V < VBAT < 18 V; 8.0 V < VBUS < 18 V; VBUS
VBAT
IBUS_PAS_REC
-
20
A
Input Leakage Current; GND Disconnected; GNDDEVICE = VSUP;
0 < VBUS < 18 V; VBAT = 12 V
IBUS_NO_GND
-1.0
-
1.0
mA
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PDF描述
MRJ0800DD-A C/A MRJ21/MRJ21 GBE STRT CMR 80M
VE-JWF-EZ CONVERTER MOD DC/DC 72V 25W
EBC28DCMD-S288 CONN EDGECARD 56POS .100 EXTEND
RS-4805DZ/H3 CONV DC/DC 2W 18-72VIN +/-05VOUT
38S801C INDUCTOR 0.80UH 12.5A SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
KIT912H634EVME 功能描述:开发板和工具包 - S08 / S12 DUAL LOW&HIDE SWITCH EVB RoHS:否 产品:Development Kits 工具用于评估:MC9S12G128 核心:S12 接口类型:CAN, LIN, RS-232, USB 工作电源电压:5 V 制造商:Freescale Semiconductor
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KIT912S812ECUEVM 功能描述:电源管理IC开发工具 Single Cylinder S12XS E RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 产品:Evaluation Kits 类型:Battery Management 工具用于评估:MAX17710GB 输入电压: 输出电压:1.8 V
Kit-916 制造商:ANDERSON POWER PRODUCTS 功能描述:KIT
Kit-917 制造商:ANDERSON POWER PRODUCTS 功能描述:KIT
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