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参数资料
| 型号： | MBM29LV160BE12PBT-E1 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 8 FLASH 3V PROM, 120 ns, PBGA48 |
| 封装： | PLASTIC, FBGA-48 |
| 文件页数： | 25/59页 |
| 文件大小： | 759K |
| 代理商： | MBM29LV160BE12PBT-E1 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页当前第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页
MBM29LV160TE/BE-70/90/12
31
Write (Erase/Program) Operations
(Continued)
Parameter Symbols
Description
70
(Note1)
90
(Note2)
12
(Note2) Unit
JEDEC
Standard
tAVAV
tWC
Write Cycle Time
Min.
70
90
120
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min.
0
ns
tWLAX
tAH
Address Hold Time
Min.
45
50
ns
tDVWH
tDS
Data Setup Time
Min.
35
45
50
ns
tWHDX
tDH
Data Hold Time
Min.
0
ns
—tOES
Output Enable Setup Time
Min.
0
ns
—tOEH
Output Enable
Hold Time
Read
Min.
0
ns
Toggle and Data Polling
Min.
10
ns
tGHWL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
ns
tGHEL
Read Recover Time Before Write
(OE High to CE Low)
Min.
0
ns
tELWL
tCS
CE Setup Time
Min.
0
ns
tWLEL
tWS
WE Setup Time
Min.
0
ns
tWHEH
tCH
CE Hold Time
Min.
0
ns
tEHWH
tWH
WE Hold Time
Min.
0
ns
tWLWH
tWP
Write Pulse Width
Min.
35
45
50
ns
tELEH
tCP
CE Pulse Width
Min.
35
45
50
ns
tWHWL
tWPH
Write Pulse Width High
Min.
25
30
ns
tEHEL
tCPH
CE Pulse Width High
Min.
25
30
ns
tWHWH1
Programming Operation
Byte
Typ.
888
s
Word
16
tWHWH2
Sector Erase Operation (Note 1)
Typ.
1
sec
—tVCS
VCC Setup Time
Min.
50
s
—tVIDR
Rise Time to VID (Note 2)
Min.
500
ns
—tVLHT
Voltage Transition Time (Note 2)
Min.
4
s
—tWPP
Write Pulse Width (Note 2)
Min.
100
s
—tOESP
OE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
s
—tCSP
CE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
s
—tRB
Recover Time From RY/BY
Min.
0
ns
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PDF描述 |
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| MBPL1319B-1R2-KS | 1 ELEMENT, 1.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| MBPL1319B-R30-KS | 1 ELEMENT, 0.3 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| MBPL1319B-R90-KS | 1 ELEMENT, 0.9 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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