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参数资料
| 型号： | MBM29LV160BE12PBT-E1 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 8 FLASH 3V PROM, 120 ns, PBGA48 |
| 封装： | PLASTIC, FBGA-48 |
| 文件页数： | 42/59页 |
| 文件大小： | 759K |
| 代理商： | MBM29LV160BE12PBT-E1 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页当前第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页
MBM29LV160TE/BE-70/90/12
47
Figure 21 Embedded EraseTM Algorithm
* : The sequence is applied for
×16 mode.
The addresses differ from
×8 mode.
555H/AAH
2AAH/55H
555H/AAH
555H/80H
555H/10H
2AAH/55H
555H/AAH
2AAH/55H
555H/AAH
555H/80H
2AAH/55H
Additional sector
erase commands
are optional.
Write Erase Command
Sequence
(See Below)
Data Polling or Toggle Bit
from Device
Erasure Completed
Chip Erase Command Sequence*
(Address/Command):
Individual Sector/Multiple Sector*
Erase Command Sequence
(Address/Command):
Sector Address/30H
Start
Data = FFH
No
Yes
?
EMBEDDED ALGORITHM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV200B-10PFTR | 256K X 8 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| MBM29LV800BE70TN | 512K X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| MBPL1319B-1R2-KS | 1 ELEMENT, 1.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| MBPL1319B-R30-KS | 1 ELEMENT, 0.3 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| MBPL1319B-R90-KS | 1 ELEMENT, 0.9 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBM29LV160BE12PCV | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
| MBM29LV160BE12TN | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
| MBM29LV160BE12TR | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
| MBM29LV160BE-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
| MBM29LV160BE70PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
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