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参数资料
| 型号： | MC33874BPNAR2 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SW QUAD HI SIDE 35MOHM 24PQFN |
| 标准包装： | 1,200 |
| 类型： | 高端 |
| 输入类型： | SPI |
| 输出数： | 4 |
| 导通状态电阻： | 35 毫欧 |
| 电源电压： | 6 V ~ 27 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 24-PowerQFN |
| 供应商设备封装： | 24-PQFN（12x12） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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ELECTRICAL CHARACTERISTICS
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Table 3. Static Electrical Characteristics (continued)
Characteristics noted under conditions 6.0V ≤ V PWR ≤ 27V, 4.5V ≤ V DD ≤ 5.5V, - 40 ° C ≤ T A ≤ 125 ° C, GND = 0V, unless
otherwise noted. Typical values noted reflect the approximate parameter means at T A = 25°C under nominal conditions, unless
otherwise noted.
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OUTPUTS (HS0, HS1, HS2, HS3)
Output Drain-to-Source ON Resistance ( I HS = 5.0A, T A = 25 ° C)
R DS(ON)
m Ω
V PWR = 6.0V
V PWR = 10V
V PWR = 13V
Output Drain-to-Source ON Resistance (I HS = 5.0A, T A = 150 ° C)
V PWR = 6.0V
V PWR = 10V
V PWR = 13V
R DS(ON)
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
55
35
35
94
60
60
m Ω
Output Source-to-Drain ON
Resistance (10)
R SD(ON)
m Ω
I HS = 1.0A, T A = 25 ° C, V PWR = -12V
Output Overcurrent High Detection Levels (9.0V < V PWR < 16V)
–
–
70
A
SOCH = 0
SOCH = 1
I OCH0
I OCH1
44
32
55
40
66
48
Overcurrent Low Detection Levels (9.0V < V PWR < 16V)
A
SOCL[2:0] : 000
SOCL[2:0] : 001
SOCL[2:0] : 010
SOCL[2:0] : 011
SOCL[2:0] : 100
SOCL[2:0] : 101
SOCL[2:0] : 110
SOCL[2:0] : 111
I OCL0
I OCL1
I OCL2
I OCL3
I OCL4
I OCL5
I OCL6
I OCL7
8.0
7.1
6.3
5.6
4.6
3.8
3.1
2.2
10
8.9
7.9
7.0
5.8
4.8
3.9
2.8
12
10.7
9.5
8.5
7.0
5.8
4.7
3.4
Current Sense Ratio (9.0V < V PWR < 16V, CSNS < 4.5V)
–
DICR D2 = 0
DICR D2 = 1
Current Sense Ratio (C SR0 ) Accuracy
C SR0
C SR1
C SR0_ACC
–
–
1/7200
1/21400
–
–
%
Output Current
2.0A to 10A
-17
–
17
Notes
10. Source-Drain ON Resistance (Reverse Drain-to-Source ON Resistance) with negative polarity V PWR .
33874
Analog Integrated Circuit Device Data
Freescale Semiconductor
7
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