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参数资料
| 型号： | MKI41T56S00TR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 时钟/数据恢复及定时提取 |
| 英文描述： | 0 TIMER(S), REAL TIME CLOCK, PDSO8 |
| 封装： | 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8 |
| 文件页数： | 11/16页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | MKI41T56S00TR |
MK41T56, MKI41T56
4/16
Table 4. AC Measurement Conditions
Note that Output Hi-Z is defined as the point where data is no longer
driven.
Input Rise and Fall Times
≤ 5ns
Input Pulse Voltages
0 to 3V
Input and Output Timing Ref. Voltages
1.5V
Figure 5. AC Testing Load Circuit
AI01019
5V
OUT
CL = 100pF
CL includes JIG capacitance
1.8k
DEVICE
UNDER
TEST
1k
Figure 4. Block Diagram
AI00586C
SECONDS
OSCILLATOR
32.768 kHz
VOLTAGE
SENSE
and
SWITCH
CIRCUITRY
SERIAL
BUS
INTERFACE
DIVIDER
CONTROL
LOGIC
ADDRESS
REGISTER
MINUTES
HOURS
DAY
DATE
MONTH
YEAR
CONTROL
RAM
(56 x 8)
OSCI
OSCO
FT/OUT
VCC
VSS
VBAT
SCL
SDA
1 Hz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MKI50-06A7T | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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| MKI50-12F7 | 功能描述:IGBT 模块 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MKI65-06A7T | 功能描述:分立半导体模块 65 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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