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参数资料
| 型号： | MKI41T56S00TR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 时钟/数据恢复及定时提取 |
| 英文描述： | 0 TIMER(S), REAL TIME CLOCK, PDSO8 |
| 封装： | 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8 |
| 文件页数： | 5/16页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | MKI41T56S00TR |
13/16
MK41T56, MKI41T56
Table 11. Ordering Information Scheme
For a list of available options (Speed, Package, etc...) or for further information on any aspect of this de-
vice, please contact the ST Sales Office nearest to you.
Example:
MKI41T56
N
00 TR
Operating Temperature
blank = 0 to 70°C
I = –40 to 85°C
Package
N = PSDIP8 0.40mm Frame
S = SO8 0.15mm Frame
Speed
00 = No Speed Options
Shipping Method for SOIC
blank = Tubes
TR = Tape & Reel
Table 12. Revision History
Date
Revision Details
March 1999
First Issue
11/30/00
From Data Sheet to Not for New Design
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| ML610Q408-NNNTBZ03A | RISC MICROCONTROLLER, PQFP100 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MKI50-06A7T | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MKI50-12E7 | 功能描述:分立半导体模块 IGBT (NPT3) 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MKI50-12F7 | 功能描述:IGBT 模块 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MKI65-06A7T | 功能描述:分立半导体模块 65 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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