参数资料
型号: MKI41T56S00TR
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 时钟/数据恢复及定时提取
英文描述: 0 TIMER(S), REAL TIME CLOCK, PDSO8
封装: 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8
文件页数: 6/16页
文件大小: 105K
代理商: MKI41T56S00TR
MK41T56, MKI41T56
14/16
Table 13. PSDIP8 - 8 pin Plastic Small Skinny DIP, 0.4mm lead frame, Package Mechanical Data
Symb
mm
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
4.80
0.1890
A1
0.70
0.0276
A2
3.10
3.60
0.1220
0.1417
B
0.38
0.58
0.0150
0.0228
B1
1.15
1.65
0.0453
0.0650
C
0.38
0.52
0.0150
0.0205
D
9.20
9.90
0.3622
0.3898
E
7.62
0.3000
E1
6.30
7.10
0.2480
0.2795
e1
2.54
0.1000
eA
8.40
0.3307
eB
9.20
0.3622
L
3.00
3.80
0.1181
0.1496
N8
8
Figure 16. PSDIP8 - 8 pin Plastic Skinny DIP, 0.4mm lead frame, Package Outline
Drawing is not to scale.
PSDIP-a
A2
A1
A
L
e1
D
E1
E
N
1
C
eA
eB
B1
B
相关PDF资料
PDF描述
ML2035IP 1-BIT, DSP-NUM CONTROLLED OSCILLATOR, PDIP8
ML54053 IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PQFP120
ML610Q346J-NNNTB 8-BIT, FLASH, 4.2 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP64
ML610Q409-NNNTBZ03A RISC MICROCONTROLLER, PQFP100
ML610Q408-NNNTBZ03A RISC MICROCONTROLLER, PQFP100
相关代理商/技术参数
参数描述
MKI50-06A7 功能描述:IGBT 模块 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
MKI50-06A7T 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MKI50-12E7 功能描述:分立半导体模块 IGBT (NPT3) 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MKI50-12F7 功能描述:IGBT 模块 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
MKI65-06A7T 功能描述:分立半导体模块 65 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: