参数资料
型号: MKI41T56S00TR
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 时钟/数据恢复及定时提取
英文描述: 0 TIMER(S), REAL TIME CLOCK, PDSO8
封装: 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8
文件页数: 4/16页
文件大小: 105K
代理商: MKI41T56S00TR
MK41T56, MKI41T56
12/16
Figure 15. Crystal Accuracy Across Temperature
AI02124
-80
-60
-100
-40
-20
0
20
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
F
= -0.038
(T - T
0)
2
± 10%
F
ppm
C
2
T
0 = 25 °C
ppm
°C
相关PDF资料
PDF描述
ML2035IP 1-BIT, DSP-NUM CONTROLLED OSCILLATOR, PDIP8
ML54053 IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PQFP120
ML610Q346J-NNNTB 8-BIT, FLASH, 4.2 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP64
ML610Q409-NNNTBZ03A RISC MICROCONTROLLER, PQFP100
ML610Q408-NNNTBZ03A RISC MICROCONTROLLER, PQFP100
相关代理商/技术参数
参数描述
MKI50-06A7 功能描述:IGBT 模块 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
MKI50-06A7T 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MKI50-12E7 功能描述:分立半导体模块 IGBT (NPT3) 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MKI50-12F7 功能描述:IGBT 模块 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
MKI65-06A7T 功能描述:分立半导体模块 65 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: