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参数资料
| 型号： | MRF5S9101NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 14/20页 |
| 文件大小： | 542K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100W 26V TO-270-4 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 960MHz |
| 增益： | 17.5dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 700mA |
| 功率 - 输出： | 100W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF5S9101NR1DKR |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical GSM EDGE Performances
(In Freescale GSM EDGE Test Fixture, 50
οhm system) VDD
= 28 Vdc, Pout
= 50 W Avg.,
IDQ
= 650 mA, 869 MHz<Frequency<894 MHz, 920 MHz<Frequency<960 MHz
Power Gain
Gps
?
18
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
42
?
%
Error Vector Magnitude
EVM
?
2.3
?
% rms
Spectral Regrowth at 400 kHz Offset
SR1
?
-63
?
dBc
Spectral Regrowth at 600 kHz Offset
SR2
?
-78
?
dBc
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3299W-1-504LF | TRIMMER 500K OHM 0.5W TH |
| MRF5S9101NBR1 | MOSFET N-CH 100W 26V TO-272-4 |
| 3299Y-1-505LF | TRIMMER 5M OHM 0.5W TH |
| 3299Y-1-104LF | TRIMMER 100K OHM 0.5W TH |
| 3299Y-1-254LF | TRIMMER 250K OHM 0.5W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S9150HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9150HR3_09 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF5S9150HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9150HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9150HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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