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参数资料
| 型号： | MRF5S9101NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 17/20页 |
| 文件大小： | 542K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100W 26V TO-270-4 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 960MHz |
| 增益： | 17.5dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 700mA |
| 功率 - 输出： | 100W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF5S9101NR1DKR |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS - 900 MHz
1020
10
18
860
?45
70
60
17
50
16
40
15
30
14
0
13
12
?15
11
?30
880 900 920 940 960 980 1000
G
ps
, POWER GAIN (dB)
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout
= 100 Watts CW
IRL
Gps
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 700 mA
1020
10
19
860
?24
50
45
17
35
16
30
15
14 ?8VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 700 mA
13
12
?16
11 ? 20
880 900 920 940 960 980 1000
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout
= 40 Watts CW
18
?12
40
1000
14
19
1
IDQ
= 1500 mA
1300 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 5. Power Gain versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
= 26 Vdc
f = 940 MHz
1100 mA
900 mA
700 mA
500 mA
300 mA
18
17
16
15
10 100
200
14
19
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 6. Power Gain versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
= 12 V
16 V
24 V
28 V
32 V
18
17
16
15
20 40 60 80 100 120 140 160 180
20 V
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
ηD
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PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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