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参数资料
| 型号： | MRF5S9101NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 18/20页 |
| 文件大小： | 542K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100W 26V TO-270-4 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 960MHz |
| 增益： | 17.5dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 700mA |
| 功率 - 输出： | 100W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF5S9101NR1DKR |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS - 900 MHz
1000
1
0
70
Gps
TC
= ?30
C
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 7. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 700 mA
f = 940 MHz
25C
85C
TC
= ?30
C
25C
85C
100
10
60
50
40
30
20
10
13
20
19
18
17
16
15
14
980
0
3.5
900
Pout
= 50 W Avg.
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 8. Error Vector Magnitude versus
Frequency
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 650 mA
40 W Avg.
25 W Avg.
3
2.5
2
1.5
1
0.5
910 920 930 940 950 960 970
ηD
100
0
9
1
0
60
EVM
210
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 9. Error Vector Magnitude and Drain
Efficiency versus Output Power
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
530
TC
= 85
C
32025C
?30C
VDD
= 28 Vdc
850
IDQ
= 650 mA
f = 940 MHz
640
10
980
?83
?63
900
SR 400 kHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 10. Spectral Regrowth at 400 kHz and
600 kHz versus Frequency
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz and 600 kHz (dBc)
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 650 mA
f = 940 MHz
?68
?73
?78
910 920 930 940 950 960 970
Pout
= 50 W Avg.
SR 600 kHz
25 W Avg.
40 W Avg.
25 W Avg.
40 W Avg.
50 W Avg.
90
?80
?45
0
TC
= 85
C
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 11. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz (dBc)
25C
?30C
?60
?65
?70
10 20 30 40 50 60 70 80
?50
?55
?75
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 650 mA
f = 940 MHz
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
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