- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21712 > MRF5S9101NR1 (Freescale Semiconductor)MOSFET N-CH 100W 26V TO-270-4 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF5S9101NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/20页 |
| 文件大小： | 542K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100W 26V TO-270-4 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 960MHz |
| 增益： | 17.5dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 700mA |
| 功率 - 输出： | 100W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF5S9101NR1DKR |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS - 800 MHz
830 840 850 860 870 880 890 900 910 920 930
940
10
20
820
?20
65
19 60
18 55Gps
17 50ηD
16 45
15 ?10IRL
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 700 mA
14 ?12
13 ?14
12 ?16
11 ? 18
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 16. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout
= 100 W CW
G
ps
, POWER GAIN (dB)
830 840 850 860 870 880 890 900 910 920 930
940
10
20
820
?20
45
14 ?12IRL
13
?14
19 40G
18 35ps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 17. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout
= 40 W CW
G
ps
, POWER GAIN (dB)
15 ?10VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 700 mA
17 30ηD
16 25
12
?16
11 ? 18
910
0
3.5
850
Pout
= 50 W Avg.
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 18. Error Vector Magnitude versus
Frequency
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 650 mA
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
3
2.5
2
1.5
1
0.5
860860 870 880 890 900
40 W Avg.
25 W Avg.
100
0
9
1
0
60
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 19. Error Vector Magnitude and Drain
Efficiency versus Output Power
η
VDD
= 28 Vdc
850IDQ
= 650 mA
f = 880 MHz
EVM
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
640
530
C
= 25
C
320
210
10
T
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3299W-1-504LF | TRIMMER 500K OHM 0.5W TH |
| MRF5S9101NBR1 | MOSFET N-CH 100W 26V TO-272-4 |
| 3299Y-1-505LF | TRIMMER 5M OHM 0.5W TH |
| 3299Y-1-104LF | TRIMMER 100K OHM 0.5W TH |
| 3299Y-1-254LF | TRIMMER 250K OHM 0.5W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S9150HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9150HR3_09 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF5S9150HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9150HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9150HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。