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参数资料
| 型号： | MRF5S9101NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 19/20页 |
| 文件大小： | 542K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100W 26V TO-270-4 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 960MHz |
| 增益： | 17.5dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 700mA |
| 功率 - 输出： | 100W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF5S9101NR1DKR |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS - 900 MHz
90
?85
?65
0
TC
= 85
C
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 12. Spectral Regrowth @ 600 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 600 kHz (dBc)
25C
?30C
?70
?75
?80
10 20 30 40 50 60 70 80
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 650 mA
f = 940 MHz
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than ±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2
for MTTF in a particular application.
Figure 13. MTTF Factor versus Junction Temperature
100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200
210
1.E+07
1.E+10
90
MTTF FACTOR (HOURS X AMPS
2
)
1.E+09
1.E+08
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PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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| MRF5S9150HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9150HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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