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参数资料
| 型号： | MRF7P20040HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/16页 |
| 文件大小： | 488K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 40W NI780HS-4 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.03GHz |
| 增益： | 18.2dB |
| 电压 - 测试： | 32V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780HS-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780HS-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7P20040HR3 MRF7P20040HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
Gps
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 7. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
-- 1 0
-- 2 0
14
19
10
60
50
40
30
20
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
18.5
18
10 50
ACPR (dBc)
PAR = 9.9 dB @ 0.01%16
Probability on
CCDF
15
14.5
0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
Figure 8. Broadband Frequency Response
-- 4
20
1450
f, FREQUENCY (MHz)
VDD
=32Vdc
Pin
=0dBm
IDQA
= 150 mA
VGSB
=1.5Vdc
16
12
8
1575
GAIN (dB)
Gain
1700 1825 1950 2075 2200 2325 2450
IRL
-- 4 0
-- 4
-- 1 0
-- 1 6
-- 2 2
-- 2 8
IRL (dB)
4
-- 3 4
2025 MHz
2017.5 MHz
2010 MHz
f = 2010 MHz
2025 MHz
ηD
2017.5 MHz
2025 MHz
2017.5 MHz
2010 MHz
17.5
VDD=32Vdc,IDQA
= 150 mA
VGSB
= 1.5 Vdc, Single--Carrier17
W--CDMA, 3.84 MHz Channel
16.5
Bandwidth, Input Signal
15.5
55
45
35
25
15
-- 5
-- 1 5
-- 2 5
-- 3 5
-- 4 5
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S15100HR5 | MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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