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参数资料
| 型号： | MRF7P20040HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 16/16页 |
| 文件大小： | 488K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 40W NI780HS-4 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.03GHz |
| 增益： | 18.2dB |
| 电压 - 测试： | 32V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780HS-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780HS-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7P20040HR3 MRF7P20040HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
25
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=32Vdc,IDQA
= 150 mA, Pulsed CW 10
μsec(on), 10% Duty Cycle
44
42
27
26
Actual
Ideal
45
43
39
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 32 V
46
47
48
49
24
23
22
17 2118
19
20
f = 2025 MHz
f = 2010 MHz
41
40
f = 2025 MHz
f = 2010 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
2010
26
44.1
31
44.9
2025
26
44.2
31
44.9
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
?
Zload
?
2010
P1dB
2.49 -- j18.56
15.82 -- j0.28
2025
P1dB
2.66 -- j19.78
15.78 + j0.52
Figure 13. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 32 V
NOTE: Measurement made on the Class AB, carrier side of the device.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S15100HR5 | MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF7S15100HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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